AF 32® 玻璃,這種無鹼玻璃採用肖特公司獨特的下拉工藝生產，從而實現了寬廣的厚度範圍、優異的透光率和卓越的表面品質。
SCHOTT AF 32® 具有與矽晶片相近的低熱膨脹係數，使其成為半導體產業晶圓級封裝的理想選擇。憑藉其高熱穩定性、高光學品質、優異的介電性能和極低的表面粗糙度
AF 32® 玻璃
具有優異的物理化學性能，例如高光學透過率、高熱穩定性、低介電損耗因子和低熱膨脹係數，即使在嚴苛的環境下也能保持高效性能。 AF 32® 玻璃不含鹼，且生產過程中未添加砷和銻，是眾多產業的理想選擇。
SCHOTT AF 32® 具有與矽晶片相近的低熱膨脹係數，使其成為半導體產業晶圓級封裝的理想選擇。憑藉其高熱穩定性、高光學品質、優異的介電性能和極低的表面粗糙度
AF 32® 玻璃
具有優異的物理化學性能，例如高光學透過率、高熱穩定性、低介電損耗因子和低熱膨脹係數，即使在嚴苛的環境下也能保持高效性能。 AF 32® 玻璃不含鹼，且生產過程中未添加砷和銻，是眾多產業的理想選擇。
AF 32® 的應用
AF 32® 的熱膨脹係數與矽晶圓相匹配，是各種封裝應用的靈活可靠之選
三維成像與感測
SCHOTT AF 32® 是紅外線窄帶濾光片的理想基材，適用於 3D 影像和感測。它也是結構光和飛行時間 (ToF) 感測器、立體成像和雷射雷達 (LiDAR) 的關鍵組件，可實現人臉辨識、距離偵測和掃描等功能。相機自動對焦和視訊輔助功能、3D 建模以及擴增實境和虛擬實境也是其主要應用領域。
相機成像
AF 32® 作為一種晶圓級封裝解決方案，具有卓越的性能，並在相機成像領域發揮重要作用。由於 AF 32® 的熱膨脹係數與矽晶圓的熱膨脹係數相近，因此它是矽晶圓覆蓋層的理想選擇。蕭特公司提供的 AF 32® 在尺寸、形狀和厚度方面具有高度的靈活性，加上其高且均勻的透光特性，使其成為適應性強且可靠的選擇。
半導體和微機電系統
鑑於 AF 32® 與矽元件的兼容性，它在半導體系統中表現出極高的效率。矽減薄正成為半導體元件製造中的重要工藝，而 AF 32® 可用作與矽的臨時鍵合解決方案。同樣的特性也使其能夠用作 MEMS 應用中的高品質超薄玻璃蓋板或基板。
射頻和高頻
AF 32® 在射頻 (RF) 和高頻 (HF) 裝置應用中發揮關鍵作用，其應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置和汽車等領域。 AF 32® 具有極低的介電損耗，可用作聲表面波 (SAW) 濾波器的基板，實現電訊號與聲波之間的雙向轉換。這些濾波器有望在蓬勃發展的 5G 通訊產業中扮演重要角色。
微型顯示器
微型顯示器，例如 LCoS、microOLED 和 microLED，需要使用 AF 32® 等高品質玻璃組件才能達到最佳性能。 AF 32® 能夠最大限度地提高光學傳輸質量，因此也使其成為投影機、近眼 (NTE) 設備、抬頭顯示器和頭戴式顯示器、電子取景器以及擴增實境和虛擬實境系統的理想選擇。
AF 32® 的熱膨脹係數與矽晶圓相匹配，是各種封裝應用的靈活可靠之選
三維成像與感測
SCHOTT AF 32® 是紅外線窄帶濾光片的理想基材，適用於 3D 影像和感測。它也是結構光和飛行時間 (ToF) 感測器、立體成像和雷射雷達 (LiDAR) 的關鍵組件，可實現人臉辨識、距離偵測和掃描等功能。相機自動對焦和視訊輔助功能、3D 建模以及擴增實境和虛擬實境也是其主要應用領域。
相機成像
AF 32® 作為一種晶圓級封裝解決方案，具有卓越的性能，並在相機成像領域發揮重要作用。由於 AF 32® 的熱膨脹係數與矽晶圓的熱膨脹係數相近，因此它是矽晶圓覆蓋層的理想選擇。蕭特公司提供的 AF 32® 在尺寸、形狀和厚度方面具有高度的靈活性，加上其高且均勻的透光特性，使其成為適應性強且可靠的選擇。
半導體和微機電系統
鑑於 AF 32® 與矽元件的兼容性，它在半導體系統中表現出極高的效率。矽減薄正成為半導體元件製造中的重要工藝，而 AF 32® 可用作與矽的臨時鍵合解決方案。同樣的特性也使其能夠用作 MEMS 應用中的高品質超薄玻璃蓋板或基板。
射頻和高頻
AF 32® 在射頻 (RF) 和高頻 (HF) 裝置應用中發揮關鍵作用，其應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置和汽車等領域。 AF 32® 具有極低的介電損耗，可用作聲表面波 (SAW) 濾波器的基板，實現電訊號與聲波之間的雙向轉換。這些濾波器有望在蓬勃發展的 5G 通訊產業中扮演重要角色。
微型顯示器
微型顯示器，例如 LCoS、microOLED 和 microLED，需要使用 AF 32® 等高品質玻璃組件才能達到最佳性能。 AF 32® 能夠最大限度地提高光學傳輸質量，因此也使其成為投影機、近眼 (NTE) 設備、抬頭顯示器和頭戴式顯示器、電子取景器以及擴增實境和虛擬實境系統的理想選擇。
AF 32® 技術細節
無鹼AF 32®玻璃技術卓越，具有高透光率和優異的介電性能。憑藉嚴格的幾何公差和與矽晶片相近的熱膨脹係數，這種獨特的玻璃為眾多行業帶來了廣泛的優勢。
無鹼，低CTE
AF 32® 的特點之一是其無鹼成分，使其非常適用於半導體系統。由於其熱膨脹係數與矽晶片相近，因此可用作半導體和微機電系統 (MEMS) 裝置中矽晶片的高品質超薄玻璃蓋板或基板。
厚度範圍廣，幾何公差小
AF 32® 提供多種厚度規格，從極薄的 30 µm 到 0.5 mm 不等。無論您需要何種厚度，總厚度變化 (TTV) 係數都能嚴格控制，僅為 ≤ 5 µm 至 15 µm
卓越的傳輸水平
AF 32®玻璃在可見光範圍以及近紅外線波段均具有一致的優異透光率。其初始透光率高達91.9%，加裝增透膜後，透光率可達97-99%。
優異的介電性能
AF 32® 的低介電損耗使其適用於極高頻率的應用。其熱膨脹係數 (CTE) 與矽相匹配，可與矽晶圓進行共加工。例如，這使得在 GHz 範圍內實現低插入損耗的 SAW 和 BAW 濾波器成為可能。
無鹼AF 32®玻璃技術卓越，具有高透光率和優異的介電性能。憑藉嚴格的幾何公差和與矽晶片相近的熱膨脹係數，這種獨特的玻璃為眾多行業帶來了廣泛的優勢。
無鹼，低CTE
AF 32® 的特點之一是其無鹼成分，使其非常適用於半導體系統。由於其熱膨脹係數與矽晶片相近，因此可用作半導體和微機電系統 (MEMS) 裝置中矽晶片的高品質超薄玻璃蓋板或基板。
厚度範圍廣，幾何公差小
AF 32® 提供多種厚度規格，從極薄的 30 µm 到 0.5 mm 不等。無論您需要何種厚度，總厚度變化 (TTV) 係數都能嚴格控制，僅為 ≤ 5 µm 至 15 µm
卓越的傳輸水平
AF 32®玻璃在可見光範圍以及近紅外線波段均具有一致的優異透光率。其初始透光率高達91.9%，加裝增透膜後，透光率可達97-99%。
優異的介電性能
AF 32® 的低介電損耗使其適用於極高頻率的應用。其熱膨脹係數 (CTE) 與矽相匹配，可與矽晶圓進行共加工。例如，這使得在 GHz 範圍內實現低插入損耗的 SAW 和 BAW 濾波器成為可能。
